MOSFET Vishay Siliconix Si7172ADP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 17,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-3664Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: Si7172ADP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

17.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

80 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Longitud

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19,5 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Ancho

5mm

Serie

TrenchFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

1.07mm

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET Vishay Siliconix Si7172ADP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 17,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

80 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Longitud

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Ancho

5mm

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