Transistor, TTC3710B,S4X(S, NPN 12 A 80 V TO-220SIS, 3 pines, 80 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
80 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.5 x 15mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
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Ganancia Mínima de Corriente DC
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Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
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