MOSFET Toshiba TPC8125, VDSS 30 V, ID 10 A, SOP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
TPC
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +20 V
Profundidad
3.9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.52mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, serie TPC, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 3,03
€ 0,605 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,605 | € 3,03 |
| 50 - 495 | € 0,573 | € 2,86 |
| 500 - 2495 | € 0,544 | € 2,72 |
| 2500 - 4995 | € 0,486 | € 2,43 |
| 5000+ | € 0,455 | € 2,28 |
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10 A
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Series
TPC
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +20 V
Profundidad
3.9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
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