MOSFET Toshiba TK62N60W5,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 61,8 A, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
61,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
400000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.02mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
205 nC a 10 V
Altura
20.95mm
Tensión de diodo directa
1.7V
Datos del producto
MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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N
Maximum Continuous Drain Current
61,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
400000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.02mm
Número de Elementos por Chip
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
205 nC a 10 V
Altura
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