MOSFET Toshiba TK60S06K3L, VDSS 60 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
7mm
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.3mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Japan
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 61,72
€ 1,234 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 61,72
€ 1,234 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,234 | € 6,17 |
| 100 - 995 | € 1,101 | € 5,50 |
| 1000+ | € 0,988 | € 4,94 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
7mm
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.3mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Japan
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products