MOSFET Toshiba TK58A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 58 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Altura
15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 7,99
€ 1,331 Each (In a Pack of 6) (Sin IVA)
Estándar
6
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
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-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
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