MOSFET Toshiba TK40E06N1, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
67 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.1mm
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,31
€ 1,063 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,063 | € 5,31 |
| 50 - 120 | € 0,965 | € 4,82 |
| 125 - 245 | € 0,913 | € 4,56 |
| 250 - 495 | € 0,839 | € 4,20 |
| 500+ | € 0,775 | € 3,88 |
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60 A
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Series
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
67 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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