MOSFET Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 796-5083Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK30E06N1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

43,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

53000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16 nC a 10 V

Profundidad

4.45mm

Material del transistor

Si

Altura

15.1mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
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Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 4,26
10€ 8,51
15€ 12,77
20€ 17,03
25€ 21,28
30€ 25,54
35€ 29,80
40€ 34,06
45€ 38,31
50€ 38,71
55€ 42,58
60€ 46,45
65€ 50,32
70€ 54,19
75€ 58,07

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 45€ 0,851€ 4,26
50 - 120€ 0,774€ 3,87
125 - 245€ 0,734€ 3,67
250 - 495€ 0,669€ 3,34
500+€ 0,613€ 3,06

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

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Mejora

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4V

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