MOSFET Toshiba TK20N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
5.02mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
20.95mm
Tensión de diodo directa
1.7V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 4,38
€ 2,192 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,192 | € 4,38 |
| 10 - 38 | € 1,929 | € 3,86 |
| 40 - 98 | € 1,689 | € 3,38 |
| 100 - 198 | € 1,578 | € 3,16 |
| 200+ | € 1,49 | € 2,98 |
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20 A
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Series
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
5.02mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
20.95mm
Tensión de diodo directa
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