MOSFET Toshiba TK16E60W5,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 15,8 A, TO-220 de 3 pines

Código de producto RS: 125-0541Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK16E60W5,S1VX(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

15,8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

DTMOSIV

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

230 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.45mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

43 nC a 10 V

Altura

15.1mm

Tensión de diodo directa

1.7V

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 1,261

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK16E60W5,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 15,8 A, TO-220 de 3 pines

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 6,31
10€ 12,61
15€ 18,92
20€ 25,23
25€ 19,02
30€ 22,82
35€ 26,62
40€ 30,42
45€ 34,23
50€ 34,81
55€ 38,29
60€ 41,77
65€ 45,26
70€ 48,74
75€ 52,22

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Modo de Canal

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Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Profundidad

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1

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Si

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