Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
U-MOSVIII-H
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
37 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Ancho
5.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.3mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,72
€ 1,143 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,143 | € 5,72 |
25 - 45 | € 0,971 | € 4,86 |
50 - 245 | € 0,938 | € 4,69 |
250 - 495 | € 0,909 | € 4,54 |
500+ | € 0,878 | € 4,39 |
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
U-MOSVIII-H
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
37 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Ancho
5.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.3mm
País de Origen
Japan
Datos del producto