MOSFET Toshiba TK14G65W,RQ(S, VDSS 650 V, ID 13,7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 133-2797Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK14G65W,RQ(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

13,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

DTMOSIV

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

8.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

10.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Altura

4.46mm

Tensión de diodo directa

1.7V

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 2,04 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK14G65W,RQ(S, VDSS 650 V, ID 13,7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 10,20
10€ 20,40
15€ 30,61
20€ 40,81
25€ 44,31
30€ 53,17
35€ 62,04
40€ 70,90
45€ 79,76
50€ 84,56
55€ 93,01
60€ 101,47
65€ 109,92
70€ 118,38
75€ 126,84

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500+€ 1,588€ 7,94

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3

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250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Profundidad

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1

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Material del transistor

Si

Longitud:

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