MOSFET Toshiba TK12E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-6113Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK12E60W,S1VX(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Ancho

4.45mm

Altura

15.1mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 11,82

€ 2,363 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK12E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 11,82
10€ 23,63
15€ 35,45
20€ 47,26
25€ 47,40
30€ 56,88
35€ 66,36
40€ 75,84
45€ 85,32
50€ 86,35
55€ 94,99
60€ 103,63
65€ 112,26
70€ 120,90
75€ 129,53

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 20€ 2,363€ 11,82
25 - 45€ 1,896€ 9,48
50 - 120€ 1,727€ 8,64
125 - 245€ 1,584€ 7,92
250+€ 1,42€ 7,10

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Tipo de Encapsulado

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300 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

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10.16mm

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