MOSFET Toshiba TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines

Código de producto RS: 125-0532Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK10A60W,S4VX(M
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

9.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

DTMOSIV

Tipo de Encapsulado

TO-220SIS

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

380 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

30000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.5mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Altura

15mm

Tensión de diodo directa

1.7V

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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125 - 245€ 0,677€ 3,39
250+€ 0,658€ 3,29

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Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

380 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

30000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

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Si

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