Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Altura
15mm
Tensión de diodo directa
1.7V
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 1,099
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
€ 1,099
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,099 | € 5,50 |
25 - 45 | € 0,713 | € 3,56 |
50 - 120 | € 0,694 | € 3,47 |
125 - 245 | € 0,677 | € 3,39 |
250+ | € 0,658 | € 3,29 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Altura
15mm
Tensión de diodo directa
1.7V
País de Origen
Japan
Datos del producto