MOSFET Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 796-5070Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK100E10N1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

207 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

255000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

4.45mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.1mm

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 3,13

€ 3,13 Each (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 3,13
2€ 6,25
3€ 9,38
4€ 12,50
5€ 15,63
6€ 18,75
7€ 21,88
8€ 25,01
9€ 28,13
10€ 31,26
11€ 34,38
12€ 37,51
13€ 40,63
14€ 43,76
15€ 46,89

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 24€ 3,13
25 - 99€ 2,95
100 - 349€ 2,82
350 - 499€ 2,51
500+€ 2,34

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N

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100 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

255000 mW

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Si

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