MOSFET Toshiba TK100E06N1,S1X(S, VDSS 60 V, ID 263 A, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
263 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
U-MOSVIII-H
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Altura
15.1mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,042 | € 10,21 |
| 25 - 45 | € 1,841 | € 9,20 |
| 50 - 120 | € 1,675 | € 8,37 |
| 125 - 245 | € 1,567 | € 7,84 |
| 250+ | € 1,546 | € 7,73 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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