Transistor MOSFET Toshiba TK100A10N1,S4X(S, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220SIS
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,8 mΩ
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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3,8 mΩ
Disipación de Potencia Máxima
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