MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
27000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
7mm
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.3mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Japan
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€ 1.124,32
€ 0,562 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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3V
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7mm
Longitud
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