Memoria flash, Paralelo TC58NVG1S3ETAI0 2 GByte, 256 M x 8, 25ns, TSOP, 48 pines

Código de producto RS: 752-2298Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TC58NVG1S3ETAI0
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tamaño de la Memoria

2 GByte

Tipo de Interfaz

Parallel

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

48

Organización

256 M x 8

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

NAND

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

-0.6 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

4.6 V

Organización de Bloques

Simétrico

Dimensiones

18.4 x 12.4 x 1mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

25ns

Número de Palabras

256M

Número de Bits de Palabra

8bit

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Datos del producto

Memoria Flash, Toshiba

Flash Memory

FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

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Organización

256 M x 8

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

NAND

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

-0.6 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

4.6 V

Organización de Bloques

Simétrico

Dimensiones

18.4 x 12.4 x 1mm

Temperatura Mínima de Operación

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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

25ns

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