Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,75 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Altura
0.9mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
Thailand
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€ 0,041
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,041 | € 122,80 |
6000 - 6000 | € 0,04 | € 119,29 |
9000+ | € 0,037 | € 112,27 |
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,75 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Altura
0.9mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
Thailand