Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.35V
Disipación de Potencia Máxima
0,15 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Profundidad
1.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
0.8mm
Altura
0.5mm
País de Origen
Thailand
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€ 0,041
Each (On a Reel of 8000) (Sin IVA)
8000
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8000 - 8000 | € 0,041 | € 327,46 |
16000+ | € 0,039 | € 308,75 |
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Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.35V
Disipación de Potencia Máxima
0,15 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Profundidad
1.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
0.8mm
Altura
0.5mm
País de Origen
Thailand