MOSFET Toshiba SSM3K339R, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
390 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,2 V
Ancho
1.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.7mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Thailand
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€ 0,083
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,083 | € 249,10 |
| 6000 - 6000 | € 0,08 | € 238,58 |
| 9000+ | € 0,075 | € 224,54 |
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2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
390 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,2 V
Ancho
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