MOSFET Toshiba SSM3K329R,LF(T, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines

Código de producto RS: 236-3575Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: SSM3K329R,LF(T
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,89e+008 Ω

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Silicon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

€ 0,058

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba SSM3K329R,LF(T, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

€ 0,058

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba SSM3K329R,LF(T, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,89e+008 Ω

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Silicon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more