MOSFET Toshiba SSM3J334R,LF(T, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 144-5260Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: SSM3J334R,LF(T
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

136 mΩ

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+20 V

Profundidad

1.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,9 NC a -10 V NC

Altura

0.8mm

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET de canal P, serie SSM3J, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

136 mΩ

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+20 V

Profundidad

1.8mm

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Material del transistor

Si

Longitud

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