Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
136 mΩ
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Profundidad
1.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,9 NC a -10 V NC
Altura
0.8mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal P, serie SSM3J, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 0,165
Each (In a Pack of 30) (Sin IVA)
30
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30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
30 - 120 | € 0,165 | € 4,94 |
150+ | € 0,156 | € 4,68 |
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
136 mΩ
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Profundidad
1.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,9 NC a -10 V NC
Altura
0.8mm
País de Origen
Japan
Datos del producto