Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
S-PLANO
Corriente Continua Máxima Directa
1.5A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
30V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
360mV
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
30 A @ 50 Hz
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, serie CMS/CRS/CUS
Diodes and Rectifiers, Toshiba
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P.O.A.
50
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50
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Brand
ToshibaTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
S-PLANO
Corriente Continua Máxima Directa
1.5A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
30V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
360mV
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
30 A @ 50 Hz
Datos del producto