MOSFET Toshiba 2SK4017(Q), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold2 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PW Mold2
Series
2SK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
2.3mm
Altura
5.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,68
€ 0,284 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,284 | € 5,68 |
| 60 - 100 | € 0,248 | € 4,97 |
| 120 - 220 | € 0,213 | € 4,26 |
| 240 - 460 | € 0,208 | € 4,16 |
| 480+ | € 0,202 | € 4,04 |
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5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PW Mold2
Series
2SK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
2.3mm
Altura
5.5mm
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