Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 0.75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-50V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Longitud
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 3,40
$ 0,34 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
$ 3,40
$ 0,34 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 0,34 | $ 3,40 |
100 - 190 | $ 0,228 | $ 2,28 |
200 - 390 | $ 0,207 | $ 2,06 |
400+ | $ 0,202 | $ 2,02 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 0.75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-50V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Longitud
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.