MOSFET Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PW Mold
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.5mm
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
2.3mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, serie 2SJ, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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P.O.A.
10
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Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
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