Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-15 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-230 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PL
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
55
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-230 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
30 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
20.5 x 5.2 x 26mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Transistores de potencia PNP, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
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€ 2,038
Each (In a Tube of 100) (Sin IVA)
100
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ToshibaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-15 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-230 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PL
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
55
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-230 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
30 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
20.5 x 5.2 x 26mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto