MOSFET Texas Instruments CSD87335Q3DT, VDSS 30 V, ID 70 A, LSON-CLIP de 8 pines, 2elementos, config. Base doble

Código de producto RS: 133-0158Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD87335Q3DT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

LSON-CLIP

Serie

NexFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.75V

Disipación de Potencia Máxima

6 W

Transistor Configuration

Dual Base

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11 nC, 19 nC

Ancho

3.4mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Altura

1.5mm

Datos del producto

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

Bloque de potencia NexFET de medio puente

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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