MOSFET Texas Instruments CSD87334Q3DT, VDSS 30 V, ID 60 A, VSON de 8 pines, 2elementos, config. Base doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.75V
Disipación de Potencia Máxima
6 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,5 nC
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
Bloque de potencia NexFET de medio puente
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.75V
Disipación de Potencia Máxima
6 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,5 nC
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
Bloque de potencia NexFET de medio puente