MOSFET Texas Instruments CSD83325LT, VDSS 12 V, ID 8 A, PICOSTAR de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Ancho
2.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
1.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,4 nC a 4,5 V
Altura
0.2mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET doble de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
250
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Ancho
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1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,4 nC a 4,5 V
Altura
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Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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