MOSFET Texas Instruments CSD25404Q3T, VDSS 20 V, ID 104 A, VSON-CLIP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,8 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 1,085
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 10 | € 1,085 | € 5,43 |
15 - 45 | € 0,868 | € 4,34 |
50 - 245 | € 0,76 | € 3,80 |
250 - 495 | € 0,664 | € 3,32 |
500+ | € 0,589 | € 2,95 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,8 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto