Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
DSBGA
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
9
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,9 nC a 4 V
Ancho
1.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
Altura
0.35mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
250
P.O.A.
250
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
DSBGA
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
9
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,9 nC a 4 V
Ancho
1.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
Altura
0.35mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto