MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.51mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 4,258
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 4,258
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 4,258 | € 212,91 |
| 100 - 200 | € 3,407 | € 170,34 |
| 250+ | € 3,194 | € 159,70 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.51mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products