Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
$ 1,362
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
$ 1,362
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
5 - 20 | $ 1,362 | $ 6,81 |
25 - 45 | $ 1,054 | $ 5,27 |
50+ | $ 1,031 | $ 5,16 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Datos del producto