MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,108 | € 55,38 |
| 100 - 200 | € 0,996 | € 49,82 |
| 250 - 450 | € 0,941 | € 47,07 |
| 500 - 700 | € 0,886 | € 44,32 |
| 750+ | € 0,83 | € 41,52 |
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Tipo de Encapsulado
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Serie
NexFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
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