MOSFET Texas Instruments CSD19502Q5BT, VDSS 80 V, ID 157 A, VSON-CLIP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
195000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
130 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 2,672
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
2
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2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | € 2,672 | € 5,34 |
10 - 18 | € 2,538 | € 5,08 |
20 - 48 | € 2,281 | € 4,56 |
50 - 98 | € 2,058 | € 4,12 |
100+ | € 1,959 | € 3,92 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
195000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
130 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto