Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 1,02
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
€ 1,02
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,02 | € 5,10 |
25 - 95 | € 0,898 | € 4,49 |
100 - 245 | € 0,784 | € 3,92 |
250 - 495 | € 0,732 | € 3,66 |
500+ | € 0,692 | € 3,46 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto