MOSFET Texas Instruments CSD18537NKCS, VDSS 60 V, ID 54 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
54 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
79000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.51mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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50
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
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Número de Elementos por Chip
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