MOSFET Texas Instruments CSD18537NKCS, VDSS 60 V, ID 54 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
54 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
79000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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3
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18 mΩ
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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1
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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