MOSFET Texas Instruments CSD18535KTTT, VDSS 60 V, ID 279 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 133-0152Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD18535KTTT
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

279 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.4V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

11.33mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

Altura

4.83mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

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N

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.4V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

11.33mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

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