Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 0,997
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
€ 0,997
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,997 | € 4,98 |
50 - 95 | € 0,801 | € 4,00 |
100+ | € 0,612 | € 3,06 |
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto