MOSFET Texas Instruments CSD18533KCS, VDSS 60 V, ID 118 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 827-4899Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD18533KCS
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

118 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

192 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 4,5 V

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

16.51mm

Serie

NexFET

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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N

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Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

192 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 4,5 V

Profundidad

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Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

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