MOSFET Texas Instruments CSD17579Q3AT, VDSS 30 V, ID 11 A, VSCONP de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 145-7677Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD17579Q3AT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

VSCONP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

3.5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,3 nC a 4,5 V

Altura

0.9mm

Serie

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD17579Q3AT, VDSS 30 V, ID 11 A, VSCONP de 8 pines, config. Simple

250

Disponible en múltiplos de 250
250P.O.A.
500P.O.A.
750P.O.A.
1000P.O.A.
1250P.O.A.
1500P.O.A.
1750P.O.A.
2000P.O.A.
2250P.O.A.
2500P.O.A.
2750P.O.A.
3000P.O.A.
3250P.O.A.
3500P.O.A.
3750P.O.A.

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N

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Tipo de Encapsulado

VSCONP

Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

3.5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Altura

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