Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
FemtoFET
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.64mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1570 nC a 0 V
Altura
0.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
250
P.O.A.
250
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
FemtoFET
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.64mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1570 nC a 0 V
Altura
0.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto