MOSFET Texas Instruments CSD17483F4T, VDSS 30 V, ID 1,5 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 145-0959Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD17483F4T
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

1.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PICOSTAR

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

550 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

0.64mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

1.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,01 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Altura

0.35mm

Serie

FemtoFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD17483F4T, VDSS 30 V, ID 1,5 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

250

Disponible en múltiplos de 250
250P.O.A.
500P.O.A.
750P.O.A.
1000P.O.A.
1250P.O.A.
1500P.O.A.
1750P.O.A.
2000P.O.A.
2250P.O.A.
2500P.O.A.
2750P.O.A.
3000P.O.A.
3250P.O.A.
3500P.O.A.
3750P.O.A.

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

550 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

0.64mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

1.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Altura

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