MOSFET Texas Instruments CSD17381F4T, VDSS 30 V, ID 3,1 A, PICOSTAR de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Serie
FemtoFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,04 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
0.64mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.35mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Serie
FemtoFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,04 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
0.64mm
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Si
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