MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3T, VDSS 30 V, ID 50 A, VSON-CLIP de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
28 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7.4 nC
Ancho
3.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Serie
NexFET
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
28 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7.4 nC
Ancho
3.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Serie
NexFET
Altura
1.1mm
Datos del producto