MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3, VDSS 30 V, ID 47 A, SON de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 162-8541Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD17308Q3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

47 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

2.7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Material del transistor

Si

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,9 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Ancho

3.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.1mm

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3, VDSS 30 V, ID 47 A, SON de 8 pines, config. Simple

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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N

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Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

SON

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Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

2.7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Material del transistor

Si

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,9 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Ancho

3.4mm

Número de Elementos por Chip

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